Recon Wafer Process(晶圓重構): 華宇電子提供專業(yè)的8英寸和12英寸Recon Wafer?服務,覆蓋從晶圓來料檢測到成品包裝的全流程。 ?技術優(yōu)勢? 高精度加工:切割崩邊≤5μm,缺陷檢測分辨率0.5μm。 嚴格品控:多環(huán)節(jié)AOI檢測,潔凈度達顆粒殘留≤10顆(≥0.1μm)。 ?成熟工藝 支持12英寸晶圓低應力BG膜貼合、無氣泡作業(yè)。 分選效率UPH 20K,支持13 BIN分類,適配圖像傳感器、IC等多種芯片。 ?質量與交付? 包裝標準:真空晶舟盒(8英寸25片/盒,12英寸13片/盒)。 符合行業(yè)高良率要求,提供穩(wěn)定量產服務。 Stealth Dicing Process(激光隱切): 華宇電子提供專業(yè)的8英寸和12英寸?Stealth Dicing?服務。 技術特點? 完全干燥工藝:無需冷卻液或其他介質,減少污染風險。 無截口損失:切割過程中材料損耗極低,提升利用率。 無切屑:避免碎屑對精密器件的影響,提高成品率。 高彎曲強度:切割后的材料結構更穩(wěn)定,適用于高應力環(huán)境。 切割道:適應更窄的切割道寬度。 ?隱切原理? 隱形切割技術可將能夠穿透材料的波長的激光光束聚焦,在內部聚焦并形成晶圓破裂的起點(改性層:隱形切割層,以下稱為“SD 層”),然后向晶圓施加外部應力,將其分離。該過程主要由兩部分組成,一般被稱為激光改制過程與晶圓擴展分離過程, ?隱切激光改制過程? 激光光束聚焦在晶圓內部,形成 SD 層以分離晶圓。 裂紋也從 SD 層形成,而 SD 層在內部朝向晶圓的頂部和底部表面形成,這些裂紋通過激光光束掃描沿著計劃的切割線連接。此外,為了切割 MEMS 器件等厚晶圓,在厚度方向上形成多個 SD 層,然后連接裂紋。 根據(jù)SD層行為可以分為 晶圓擴展分離過程 通過膠帶膨脹等行為在周邊方向上拉緊膠帶,對已形成 SD 層的晶圓施加外力。這會對晶圓的內部裂紋狀態(tài)施加拉應力,并使裂紋延伸到頂部和底部表面,從而分離晶片。由于晶圓分離是通過延伸裂紋進行的,因此沒有應力施加在器件上。此外,由于基本上沒有截口損失,這會提高芯片成品率。 Machine model:DISCO ?DFL7362、DISCO DDS230 公司憑借先進設備、嚴格工藝控制和全流程服務,可為客戶提供高可靠性Recon Wafer & …
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